Học viện KT-QS Việt Nam chế thiết bị gây nhiễu điện tử

Pa-nen gây nhiễu dải rộng do Học viện Kỹ thuật Quân sự (KT-QS) chế tạo vừa phục vụ học tập, vừa có thể dùng để chế áp thiết bị mạng GSM, 3G.

Phục vụ công tác đào tạo, huấn luyện cho học viên tính toán, đánh giá khả năng chế áp thông tin liên lạc băng rộng, PGS, TS, Đại tá Nguyễn Huy Hoàng, Phó chủ nhiệm Bộ môn Tác chiến điện tử, Khoa Vô tuyến điện tử chủ trì thiết kế, chế tạo pa-nen gây nhiễu dải rộng.

Sản phẩm đã được Hội đồng Khoa học-Công nghệ Khoa Vô tuyến điện tử (Học viện Kỹ thuật Quân sự) nghiệm thu, đưa vào sử dụng.

Pa-nen gây nhiễu dải rộng tạo được nhiễu tạp điều tần ở các tần số từ 800-1.270MHz, công suất nhiễu một kênh dưới 2,5W, tổng công suất nhiễu 4 kênh đạt hơn 10W. Thiết bị sử dụng nguồn điện 220V-50Hz. Qua hoạt động thực tế, pa-nen gây nhiễu dải rộng đã chế áp được các thiết bị thông tin trong hội trường rộng, ở khu vực có bán kính đến 30m.

Đại tá Nguyễn Huy Hoàng (bên phải) giới thiệu sản phẩm trưng bày tại Học viện Kỹ thuật quân sự.

Sản phẩm đưa vào sử dụng giúp học viên nắm vững kiến thức, làm chủ công nghệ chế tạo thiết bị gây nhiễu, chế áp thiết bị vô tuyến điện; đồng thời phục vụ nghiên cứu về nhiễu dải rộng và chống nhiễu.

Ngoài việc phục vụ học viên tính toán, đánh giá khả năng chế áp thiết bị thông tin nhảy tần, pa-nen còn dùng cho tính toán, đánh giá khả năng chế áp các thiết bị thông tin mạng GSM, DCS, 3G. Sản phẩm đã góp phần nâng cao chất lượng đào tạo, nghiên cứu khoa học, giúp học viên tốt nghiệp ra trường làm cơ sở vận dụng vào thực tiễn đơn vị, hoàn thành tốt nhiệm vụ được giao.

 

Đường dây nóng: 0943 113 999

Soha
Báo lỗi cho Soha

*Vui lòng nhập đủ thông tin email hoặc số điện thoại